国产高纯硅 28 同位素量产技术全面突破,打破海外数十年垄断,筑牢半导体与核工业供应链安全底线

6 月 18 日,国内科研团队联合新材料企业正式对外宣布,超高纯硅 28 同位素规模化量产生产线顺利通过工艺验收,产品纯度达到 99.9999999%,各项关键技术指标全面超越海外同类产品,彻底打破欧美企业长达三十余年的技术垄断,实现高端同位素半导体材料自主可控,将广泛应用于先进量子芯片、高精度半导体传感器、核工业辐射探测、航天级微电子元器件等 “卡脖子” 核心领域,为我国高端制造产业链供应链安全补上关键一环。

硅是全球半导体产业最基础的原材料,常规天然硅包含硅 28、硅 29、硅 30 三种同位素,不同同位素原子的晶格振动、载流子迁移率存在明显差异,在 7nm 及以下先进制程芯片、量子计算芯片、深空航天微电子器件、核辐射高精度探测设备等极端工况场景下,天然硅材料会因为同位素杂质产生信号噪声、发热损耗、计算误差等问题,严重影响精密设备的稳定性、运算精度与使用寿命。而高纯硅 28 单同位素材料可以大幅降低芯片内部晶格散射损耗,量子芯片使用该材料能够显著提升量子比特相干时间,航天芯片可耐受极端高低温、宇宙高能辐射环境,核工业探测传感器依托高纯硅 28 可以实现微弱辐射信号精准捕捉,是高端战略领域不可替代的关键基础材料。

在此之前,全球高纯硅 28 同位素量产技术长期被少数海外企业垄断,不仅产品采购价格居高不下,高端规格产品还长期实施出口管制,国内科研机构、先进制造企业只能小批量采购试验级样品,无法开展产业化规模化研发,直接制约我国量子计算、航天微电子、高端核探测装备等前沿领域的技术迭代。本次国内研发团队历经八年技术攻关,先后攻克同位素气体高效分离、高纯原料提纯、单晶定向生长、超高洁净环境制造四大核心工艺难题,自主研发出离心式同位素分级分离装置,解决了硅同位素微量分离效率低、杂质难以去除、单晶生长缺陷率高一系列行业技术难题,建成国内首条年产百公斤级超高纯硅 28 同位素单晶生产线,既能满足国内实验室科研小批量需求,也可承接先进半导体企业产业化批量订单。

从产业战略价值来看,本次技术突破具备三重深远意义。首先,彻底摆脱高端同位素半导体材料进口依赖,避免地缘政治冲突下原材料断供风险,保障我国先进芯片、量子科技、国防军工、航天产业稳定发展;其次,依托自主可控的材料技术,国内科研团队可以围绕高纯硅 28 开展新一代量子传感器、超高精度算力芯片、极端环境微电子器件的研发,加速前沿技术成果转化;最后,依托完整的上下游工艺技术,我国有望逐步打造同位素高端新材料产业集群,向全球市场输出高纯同位素半导体原材料,重塑全球高端硅基材料产业格局。

当前全球量子计算产业正处于商业化前夜,各国都在加速布局硅基量子芯片技术路线,高纯硅 28 作为核心衬底材料,市场需求未来十年将持续高速增长。随着生产线正式投产,国内多家头部量子科技企业、航天研究院、半导体传感器厂商已经下达意向采购订单。新材料技术的自主突破,再次印证我国在基础材料领域持续攻坚的战略成效,只有实现底层原材料、核心工艺、关键设备全方位自主可控,才能在全球科技竞争中牢牢掌握发展主动权,为高端制造业转型升级筑牢底层根基。

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